Influence of the carrier wafer during GaN etching in Cl2 plasma - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2022

Influence of the carrier wafer during GaN etching in Cl2 plasma

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Soumis le : jeudi 24 mars 2022-16:15:00

Dernière modification le : jeudi 18 avril 2024-12:47:58

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Dates et versions

hal-03618882 , version 1 (24-03-2022)

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Citer

Thibaut Meyer, Camille Petit-Etienne, Erwine Pargon. Influence of the carrier wafer during GaN etching in Cl2 plasma. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2022, ⟨10.1116/6.0001478⟩. ⟨hal-03618882⟩

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