Identification of paramagnetic centers in irradiated Sn-doped SiO2 glass by first principle calculations - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Identification of paramagnetic centers in irradiated Sn-doped SiO2 glass by first principle calculations

Domaines

Physique [physics]

Antonino Alessi  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04198585

Soumis le : jeudi 7 septembre 2023-10:52:17

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-11:14:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04198585 , version 1 (07-09-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04198585 , version 1

Citer

L. Giacomazzi, L. Martin-Samos, N. Richard, D. Ceresoli, A. Alessi. Identification of paramagnetic centers in irradiated Sn-doped SiO2 glass by first principle calculations. The 14th international conference on SiO2, advanced dielectrics and related devices, Jun 2023, Palerme, Italy. ⟨hal-04198585⟩

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