Theoretical approach to point defects in a single transition metal dichalcogenide monolayer: conductance and force calculations in MoS 2

César González (1) , Yannick J Dappe (2)

1 Departamento de Fisica de Materiales
2 GMT - Groupe Modélisation et Théorie

Nous présentons ici une mini-revue de nos différents travaux sur l’étude théorique des défauts dans une monocouche de MoS2. En utilisant la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT), nous avons caractérisé structurellement et électroniquement différents types de défauts à partir de lacunes de S et Mo, ainsi que leurs antisites. En combinaison avec un formalisme de Green–Keldysh, nous avons simulé les images de microscopie à effet tunnel (STM) correspondantes. Également, nous avons déterminé les forces, afin d’interpréter les expériences de microscopie à force atomique (AFM). Nous avons également étudié l’adsorption de molécules sur ces défauts. Finalement, nous présentons de récents résultats sur le calcul de conductance latérale dans des nano-rubans de MoS2 avec défauts. Ces travaux ouvrent la voie à de nouvelles applications en nanoélectronique ou pour les capteurs de gaz, et soulignent la nécessité d’explorer plus avant ces nouveaux systèmes.

Domaines: Physique [physics]

César González, Yannick J Dappe. Theoretical approach to point defects in a single transition metal dichalcogenide monolayer: conductance and force calculations in MoS 2. Comptes Rendus. Physique, 2021, 22 (S4), pp.1-19. ⟨10.5802/crphys.72⟩. ⟨hal-03315743⟩