Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth Of Ga1-XInxAsySb1-y : First Electrical And Optical Characterization Of Materials And Devices - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1987

Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth Of Ga1-XInxAsySb1-y : First Electrical And Optical Characterization Of Materials And Devices

Domaines

Electronique Physique [physics]

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https://hal.science/hal-01787467

Soumis le : lundi 7 mai 2018-15:36:32

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Dates et versions

hal-01787467 , version 1 (07-05-2018)

Identifiants

Citer

Georges Bougnot, Alain Brenac, Frederique Delannoy, Fabien Pascal, Fabien Roumanille, et al.. Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth Of Ga1-XInxAsySb1-y : First Electrical And Optical Characterization Of Materials And Devices. 1987 Symposium on the Technologies for Optoelectronics, 1987, Cannes, France. ⟨10.1117/12.943586⟩. ⟨hal-01787467⟩

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