Empreinte environnementale d'un composant de puissance à base de GaN

Gabin Guillemaud (1) , Laura Vauche (1) , João-Carlos Lopes Barbosa (1) , Véronique Sousa (1) , Léa Di Cioccio (1)

1 DCOS - Département Composants Silicium

Les composants de puissance à base de semiconducteurs à large bande interdite (Wide Band Gap (WBG) sont intéressants pour augmenter l'efficacité énergétique des convertisseurs de puissance, par rapport aux composants conventionnels à base de silicium (Si). Alors que le potentiel gain en efficacité énergétique est connu, le coût énergétique et les impacts environnementaux à la fabrication restent peu documentés. En effet, à notre connaissance, il n'y a pas ou peu de données d'analyse de cycle de vie (ACV) disponibles pour les composants de puissance à base de nitrure de gallium (GaN ou GaN/Si) et carbure de silicium (SiC). Dans ce papier, nous présentons une analyse de cycle de vie du berceau à la porte pour un composant de puissance à base de GaN, permettant d'identifier les postes les plus impactants et de proposer des pistes d'éco-conception.

Domaines: Sciences de l'environnement; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Gabin Guillemaud, Laura Vauche, João-Carlos Lopes Barbosa, Véronique Sousa, Léa Di Cioccio. Empreinte environnementale d'un composant de puissance à base de GaN. SGE 2023 - 5ème édition du Symposium de Génie Électrique, Jul 2023, Lille, France. pp.1. ⟨cea-04539849⟩