Caractérisation de structures GaN par HAXPES pour l'électronique de puissance

Tarek Spelta (1) , Eugénie Martinez (1) , Marc Veillerot (1) , Pedro Fernandes Paes Pinto Rocha (2) , Sarah Boubenia (3) , Laura Vauche (2) , Bassem Salem (3) , William Vandendaele (1) , Bérangère Hyot (2)

1 DPFT - Département Plate-Forme Technologique
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines: Chimie-Physique [physics.chem-ph]

Tarek Spelta, Eugénie Martinez, Marc Veillerot, Pedro Fernandes Paes Pinto Rocha, Sarah Boubenia, et al.. Caractérisation de structures GaN par HAXPES pour l'électronique de puissance. JNSPE 2022 - Journées Nationales des Spectroscopies de PhotoEmission, May 2022, Dijon, France. ⟨cea-04325037⟩