Développement d'un procédé de structuration 3D pour le silicium

Résumé : Ce travail porte sur le développement d’une technique de structuration de surface pour le silicium. Celle-ci repose sur trois étapes essentielles : la lithographie, l’implantation ionique et le retrait par voie humide. Le motif formé par lithographie est transféré par homothétie dans la couche sous-jacente de silicium grâce à l’implantation ionique. Après le retrait du masque de résine, le substrat est traité par voie humide en vue de retirer des zones localement implantées. Le motif initial défini par la lithographie est ainsi révélé dans le silicium.La compréhension des modifications induites par l’implantation ionique dans le substrat nous a permis de réaliser avec succès un transfert dans le silicium. Nous avons principalement étudié les défauts générés par deux types d’ions : l’argon et l’hydrogène, à travers un certain nombre de techniques de caractérisation. Sur la base de cette étude, les différents traitements humides du silicium ont été investigués : gravure alcaline, gravure acide, dissolution par anodisation. L’optimisation des conditions d’implantation et des paramètres de retrait humide a permis l’obtention de structures 2D puis 3D.La faisabilité de cette technique de structuration a également été démontrée sur d’autres matériaux comme le SiOCH et le nitrure de silicium.
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Thèse
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2017. Français. 〈NNT : 2017GREAT088〉
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Contributeur : Abes Star <>
Soumis le : vendredi 13 avril 2018 - 16:10:48
Dernière modification le : samedi 14 avril 2018 - 01:30:28

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Lamia Nouri. Développement d'un procédé de structuration 3D pour le silicium. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2017. Français. 〈NNT : 2017GREAT088〉. 〈tel-01766473〉

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