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Poster communications

Utilisation des MOSFET en mode avalanche

Abstract : Le phénomène d’avalanche des MOSFET permet d’écrêter la tension par le composant lui-même, plutôt que de lui associer une diode dite Zéner ou une fonction écrêteur par le circuit. La présentation est centrée sur l’évolution des spécifications, des méthodes de caractérisation et des performances des composants en avalanche. Une amélioration d’une méthode de caractérisation est proposée. D’autre part l’utilisation de l’avalanche dans des applications est illustrée par un commutateur à MOSFET 100 kV utilisé depuis vingt ans sur le Tokamak Tore Supra à Cadarache et par le développement récent d’un commutateur 10 kA pour le test en court-circuit à durée contrôlée des accumulateurs ou batteries Lithium ion.
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https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03344265
Contributor : Contributeur Map Cea Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, September 14, 2021 - 6:35:17 PM
Last modification on : Thursday, September 16, 2021 - 3:27:31 AM

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SGE2020 D Chatroux.pdf
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  • HAL Id : cea-03344265, version 1

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Citation

Daniel Chatroux, Julien Chauvin. Utilisation des MOSFET en mode avalanche. SGE 2020 - Symposium de Génie Electrique, Jul 2021, Nantes, France. 2021. ⟨cea-03344265⟩

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