Y-Function Based Methodology for Accurate Statistical Extraction of HEMT Device Parameters for GaN Technology

R. Kom Kammeugne (1) , Romeo Kom Kammeugne (2) , Charles Leroux (2) , Jacques Cluzel (1) , Laura Vauche (2) , Cyrille Le Royer (1) , Romain Gwoziecki (1) , Jérôme Biscarrat (2) , Fred Gaillard (1) , Matthew Charles (1) , Edwige Bano (3) , Gérard Ghibaudo (3)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

R. Kom Kammeugne, Romeo Kom Kammeugne, Charles Leroux, Jacques Cluzel, Laura Vauche, et al.. Y-Function Based Methodology for Accurate Statistical Extraction of HEMT Device Parameters for GaN Technology. 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Sep 2020, Caen, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365637⟩. ⟨cea-03167130⟩