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Conference papers
Y-Function Based Methodology for Accurate Statistical Extraction of HEMT Device Parameters for GaN Technology
R. Kom Kammeugne
1
Romeo Kom Kammeugne
2
Charles Leroux
2
Jacques Cluzel
1
Laura Vauche
2
Cyrille Le Royer
1
Romain Gwoziecki
1
Jérôme Biscarrat
2
Fred Gaillard
1
Matthew Charles
1
Edwige Bano
3
Gérard Ghibaudo
3
R. Kom Kammeugne 1
Author IdHAL : romeo-kom-kammeugne ORCID : https://orcid.org/0000-0001-7801-5710
Romeo Kom Kammeugne 2
Author
Charles Leroux 2
Author
Jacques Cluzel 1
Author
Laura Vauche 2
Author Employer institution : Nexcis
Cyrille Le Royer 1
Author
Romain Gwoziecki 1
Author
Jérôme Biscarrat 2
Author
Fred Gaillard 1
Author
Matthew Charles 1
Author
Edwige Bano 3
Author IdHAL : edwige-bano
Gérard Ghibaudo 3
Author IdHAL : gerard-ghibaudo ORCID : https://orcid.org/0000-0001-9901-0679
1
CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (MINATEC 17, rue des Martyrs, 38054, Grenoble Cedex 9 - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
3
IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (Site Grenoble : Grenoble INP - Minatec : 3, Parvis Louis Néel - CS 50257 - 38016 Grenoble Cedex 1 / Site Chambéry : Université de Savoie - F73376 Le Bourget du Lac Cedex - France)
- USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry] - Université Savoie Mont Blanc (27, rue Marcoz - 73000 Chambéry - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5130 (France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- Grenoble INP - Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (46 avenue Félix Viallet 38031 Grenoble Cedex 1 - France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
Document type :
Conference papers
Domain :
Complete list of metadata
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-03167130
Contributor : Romeo Kom Kammeugne Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, March 11, 2021 - 5:49:57 PM
Last modification on : Wednesday, November 3, 2021 - 6:02:18 AM
Contributor : Romeo Kom Kammeugne Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, March 11, 2021 - 5:49:57 PM
Last modification on : Wednesday, November 3, 2021 - 6:02:18 AM
Identifiers
- HAL Id : cea-03167130, version 1
- DOI : 10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365637
Citation
R. Kom Kammeugne, Romeo Kom Kammeugne, Charles Leroux, Jacques Cluzel, Laura Vauche, et al.. Y-Function Based Methodology for Accurate Statistical Extraction of HEMT Device Parameters for GaN Technology. 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Sep 2020, Caen, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365637⟩. ⟨cea-03167130⟩
Metrics
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