Y-Function Based Methodology for Accurate Statistical Extraction of HEMT Device Parameters for GaN Technology
R. Kom Kammeugne
(1)
,
Romeo Kom Kammeugne
(2)
,
Charles Leroux
(2)
,
Jacques Cluzel
(1)
,
Laura Vauche
(2)
,
Cyrille Le Royer
(1)
,
Romain Gwoziecki
(1)
,
Jérôme Biscarrat
(2)
,
Fred Gaillard
(1)
,
Matthew Charles
(1)
,
Edwige Bano
(3)
,
Gérard Ghibaudo
(3)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
R. Kom Kammeugne
- Function : Author
- PersonId : 737980
- IdHAL : romeo-kom-kammeugne
- ORCID : 0000-0001-7801-5710
Matthew Charles
- Function : Author
- PersonId : 1050803
Edwige Bano
- Function : Author
- PersonId : 170883
- IdHAL : edwige-bano
- IdRef : 114975981
Gérard Ghibaudo
- Function : Author
- PersonId : 170596
- IdHAL : gerard-ghibaudo
- ORCID : 0000-0001-9901-0679
- IdRef : 069253099