Heavy Ions Radiation Effects on 4kb Phase-Change Memory - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Heavy Ions Radiation Effects on 4kb Phase-Change Memory

Résumé

In this work we analyze, thanks to both material and 4kb memory arrays characterization, the different effects of heavy ion radiation at high fluences on Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ and Ge-rich GeSbTe based Phase-Change Memory (PCM).
Fichier principal
Vignette du fichier
RADECS_Vf.pdf (948.87 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

cea-03086407 , version 1 (22-12-2020)

Identifiants

  • HAL Id : cea-03086407 , version 1

Citer

Anna Lisa Serra, Tobias Vogel, Gauthier Lefevre, Stefan Petzold, Nico Kaiser, et al.. Heavy Ions Radiation Effects on 4kb Phase-Change Memory. RADECS 2020, Oct 2020, Virtual Conference, France. ⟨cea-03086407⟩
144 Consultations
322 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More