Impact of Bottom Electrode Integration on the variability of 4kb RRAM Matrices - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Impact of Bottom Electrode Integration on the variability of 4kb RRAM Matrices

Tran N.P.
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Sandrini J.
  • Fonction : Auteur
Persico A.
  • Fonction : Auteur
Nodin J.F.
  • Fonction : Auteur
Magis T.
  • Fonction : Auteur
Crochemore R.
  • Fonction : Auteur
Castellani N.
  • Fonction : Auteur
Cyrille M.C.
  • Fonction : Auteur
Molas G.
  • Fonction : Auteur
Nowak E.
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://cea.hal.science/cea-03022902

Soumis le : mercredi 25 novembre 2020-08:40:56

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:13

Fichier non déposé

Dates et versions

cea-03022902 , version 1 (25-11-2020)

Identifiants

  • HAL Id : cea-03022902 , version 1

Citer

Tran N.P., Sandrini J., Persico A., Nodin J.F., Magis T., et al.. Impact of Bottom Electrode Integration on the variability of 4kb RRAM Matrices. 2020 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA), Aug 2020, Hsinchu, Taiwan. ⟨cea-03022902⟩

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