Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method

R. Kom Kammeugne (1) , C. Leroux (1) , J. Cluzel (1) , L. Vauche (1) , C. Le Royer (1) , R. Gwoziecki (1) , J. Biscarrat (1) , F. Gaillard (1) , M. Charles (1) , E. Bano (2) , G. Ghibaudo (2)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domains: Engineering Sciences [physics]; Engineering Sciences [physics]; Micro and nanotechnologies/Microelectronics

R. Kom Kammeugne, C. Leroux, J. Cluzel, L. Vauche, C. Le Royer, et al.. Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method. IEEE Transactions on Electron Devices, In press, pp.1-5. ⟨10.1109/TED.2020.3015466⟩. ⟨cea-02972351⟩