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Journal articles
Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method
R. Kom Kammeugne
1
C. Leroux
1
J. Cluzel
1
L. Vauche
1
C. Le Royer
1
R. Gwoziecki
1
J. Biscarrat
1
F. Gaillard
1
M. Charles
1
E. Bano
2
G. Ghibaudo
2
R. Kom Kammeugne 1
Author IdHAL : romeo-kom-kammeugne ORCID : https://orcid.org/0000-0001-7801-5710
C. Leroux 1
Author
J. Cluzel 1
Author
L. Vauche 1
Author
C. Le Royer 1
Author
R. Gwoziecki 1
Author
J. Biscarrat 1
Author
F. Gaillard 1
Author IdHAL : francois-gaillard
M. Charles 1
Author
E. Bano 2
Author IdHAL : edwige-bano
G. Ghibaudo 2
Author IdHAL : gerard-ghibaudo ORCID : https://orcid.org/0000-0001-9901-0679
1
CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (MINATEC 17, rue des Martyrs, 38054, Grenoble Cedex 9 - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
2
IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (Site Grenoble : Grenoble INP - Minatec : 3, Parvis Louis Néel - CS 50257 - 38016 Grenoble Cedex 1 / Site Chambéry : Université de Savoie - F73376 Le Bourget du Lac Cedex - France)
- USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry] - Université Savoie Mont Blanc (27, rue Marcoz - 73000 Chambéry - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5130 (France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- Grenoble INP - Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (46 avenue Félix Viallet 38031 Grenoble Cedex 1 - France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-02972351
Contributor : Romeo Kom Kammeugne Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, October 20, 2020 - 12:52:00 PM
Last modification on : Tuesday, November 24, 2020 - 4:00:19 PM
Contributor : Romeo Kom Kammeugne Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, October 20, 2020 - 12:52:00 PM
Last modification on : Tuesday, November 24, 2020 - 4:00:19 PM
Identifiers
- HAL Id : cea-02972351, version 1
- DOI : 10.1109/TED.2020.3015466
Citation
R. Kom Kammeugne, C. Leroux, J. Cluzel, L. Vauche, C. Le Royer, et al.. Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method. IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, In press, pp.1-5. ⟨10.1109/TED.2020.3015466⟩. ⟨cea-02972351⟩
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