 |
Journal articles
Toward ultimate nonvolatile resistive memories: The mechanism behind ovonic threshold switching revealed
Pierre Noé
1
Anthonin Verdy
Francesco D’acapito
Jean-Baptiste Dory
2
Mathieu Bernard
3
Gabriele Navarro
4
Jean-Baptiste Jager
5, 6, 7
Jérôme Gaudin
8
Jean-Yves Raty
9
Pierre Noé 1
Author Employer institution : Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Anthonin Verdy
Author
Francesco D’acapito
Author
Jean-Baptiste Dory 2
Author
Mathieu Bernard 3
Author
Gabriele Navarro 4
Author
Jean-Baptiste Jager 5, 6, 7
Author IdHAL : jean-baptiste-jager
Jérôme Gaudin 8
Author IdHAL : jerome-gaudin
Jean-Yves Raty 9
Author
1
DTSI - Département des Technologies Silicium (Grenoble - France)
- CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information : DRT/LETI (MINATEC 17, rue des Martyrs, 38054, Grenoble Cedex 9 - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
2
DOPT - Département d'Optronique (France)
- CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information : DRT/LETI (MINATEC 17, rue des Martyrs, 38054, Grenoble Cedex 9 - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
3
EHESS - École des hautes études en sciences sociales (54, boulevard Raspail 75006 Paris - France)
4
CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (MINATEC 17, rue des Martyrs, 38054, Grenoble Cedex 9 - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
5
SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures (SP2M - UMR 9002, Institut Nanosciences et Cryogénie, CEA/Grenoble, 17, Avenue des Martyrs 38042 Grenoble Cedex 9 - France)
- INAC - Institut Nanosciences et Cryogénie (CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble cedex 9 - France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRF/INAC (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019] : INAC (CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
6
IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
7
INAC - Institut Nanosciences et Cryogénie (CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble cedex 9 - France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRF/INAC (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019] : INAC (CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
8
CELIA - Centre d'Etudes Lasers Intenses et Applications (351 cours de la libération 33405 Talence - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR5107 (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DAM/CESTA (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- UB - Université de Bordeaux (35, place Pey Berland - 33076 Bordeaux - France)
9
Université de Liège (Place du 20-Août, 7 4000 Liège - Belgium)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadatas
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-02624333
Contributor : Jean-Baptiste Jager <>
Submitted on : Tuesday, May 26, 2020 - 11:19:15 AM
Last modification on : Friday, July 17, 2020 - 8:24:29 AM
Contributor : Jean-Baptiste Jager <>
Submitted on : Tuesday, May 26, 2020 - 11:19:15 AM
Last modification on : Friday, July 17, 2020 - 8:24:29 AM
Links full text
Identifiers
- HAL Id : cea-02624333, version 1
- DOI : 10.1126/sciadv.aay2830
Collections
Citation
Pierre Noé, Anthonin Verdy, Francesco D’acapito, Jean-Baptiste Dory, Mathieu Bernard, et al.. Toward ultimate nonvolatile resistive memories: The mechanism behind ovonic threshold switching revealed. Science Advances , American Association for the Advancement of Science (AAAS), 2020, 6 (9), pp.eaay2830. ⟨10.1126/sciadv.aay2830⟩. ⟨cea-02624333⟩
Metrics
Record views