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Role of Underlayer for Efficient Core–Shell InGaN QWs Grown on m -plane GaN Wire Sidewalls

Akanksha Kapoor 1 Sylvain Finot 2 Vincent Grenier 1 Eric Robin 3 Catherine Bougerol 4 Joël Bleuse 1 Gwenolé Jacopin 2 J. Eymery 5 Christophe Durand 1
1 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS : DRF/IRIG/PHELIQS
3 LEMMA [2020-....] - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée [2020-....]
MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux : DRF/IRIG/MEM
4 NPSC [2007-2015] - Nanophysique et Semiconducteurs [2007-2015]
NEEL [2007-2015] - Institut Néel [2007-2015]
5 NRS [2020-....] - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron [2020-....]
MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux : DRF/IRIG/MEM
Complete list of metadatas

https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-02540566
Contributor : Joël Eymery <>
Submitted on : Saturday, April 11, 2020 - 12:07:05 PM
Last modification on : Tuesday, September 15, 2020 - 10:26:02 PM

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Citation

Akanksha Kapoor, Sylvain Finot, Vincent Grenier, Eric Robin, Catherine Bougerol, et al.. Role of Underlayer for Efficient Core–Shell InGaN QWs Grown on m -plane GaN Wire Sidewalls. ACS Applied Materials & Interfaces, Washington, D.C. : American Chemical Society, 2020, 12 (16), pp.19092-19101. ⟨10.1021/acsami.9b19314⟩. ⟨cea-02540566⟩

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