MoS2 Transistors with Electrografted Organic Ultrathin Film as Efficient Gate Dielectric - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

cea-02352759 , version 1 (07-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : cea-02352759 , version 1

Citer

Hugo Casademont, Laure Fillaud, Xavier Lefèvre, Renaud Cornut, Bruno Jousselme, et al.. MoS2 Transistors with Electrografted Organic Ultrathin Film as Efficient Gate Dielectric. Imagine Nano, Mar 2015, Bilbao, Spain. ⟨cea-02352759⟩
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