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Journal articles
Effect of H and O termination on the charge transfer of moderately boron doped diamond electrodes
1
ILV - Institut Lavoisier de Versailles (Bâtiment Lavoisier
45 avenue des Etats Unis
78035 VERSAILLES CEDEX - France)
- UVSQ - Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines : UMR8180 (55 avenue de Paris - 78035 Versailles cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8180 (France)
2
GEMAC - Groupe d'Etude de la Matière Condensée (URF de Sciences
Bâtiment Fermat
45 avenue des Etats Unis
78035 Versailles - France)
- UVSQ - Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines : UMR8635 (55 avenue de Paris - 78035 Versailles cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8635 (France)
3
LEPES - Laboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides (25, Av. des Martyrs - BP166 - F-38042 Grenoble - France)
- UJF - Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (BP 53 - 38041 Grenoble Cedex 9 - France)
- INPG - Institut National Polytechnique de Grenoble (46 avenue Félix Viallet 38031 Grenoble Cedex 1 - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UPR11 (France)
Document type :
Journal articles
Domain :
Complete list of metadatas
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-02189583
Contributor : Hugues Girard <>
Submitted on : Friday, July 19, 2019 - 5:00:07 PM
Last modification on : Friday, December 18, 2020 - 1:34:03 PM
Contributor : Hugues Girard <>
Submitted on : Friday, July 19, 2019 - 5:00:07 PM
Last modification on : Friday, December 18, 2020 - 1:34:03 PM
Identifiers
- HAL Id : cea-02189583, version 1
- DOI : 10.1016/j.diamond.2004.12.013
Citation
N. Simon, H. Girard, D. Ballutaud, S. Ghodbane, A. Deneuville, et al.. Effect of H and O termination on the charge transfer of moderately boron doped diamond electrodes. Diamond and Related Materials, Elsevier, 2005, 14 (3-7), pp.1179-1182. ⟨10.1016/j.diamond.2004.12.013⟩. ⟨cea-02189583⟩
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