N. Posseme, O. Pollet, and S. Barnola, Appl. Phys. Lett, vol.105, p.51605, 2014.

V. Leung, O. Pollet, N. Posseme, M. Garcia-barros, N. Rochat et al., J. Vac. Sci. Technol. A, vol.35, p.21408, 2017.

N. Posseme, V. Leung, O. Pollet, C. Arvet, and M. Garcia-barros, J. Vac. Sci. Technol. A, vol.34, p.61301, 2016.

O. Pollet, N. Posseme, V. Leung, and M. Garcia-barros, , vol.255, p.69, 2016.

D. Benoit, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2015.

N. Rochat, A. Troussier, A. Hoang, and F. Vinet, Mater. Sci. Eng. C, vol.23, p.99, 2003.

N. Rochat, M. Olivier, A. Chabli, F. Conne, and G. Lefeuvre, Appl. Phys. Lett, vol.77, p.2249, 2000.

N. Posseme, T. Chevolleau, O. Joubert, L. Vallier, and P. Mangiagalli, J. Vac. Sci. Technol. B, vol.21, p.2432, 2003.

N. Posseme, T. Chevolleau, T. David, M. Darnon, O. Louveau et al., J. Vac. Sci. Technol. B, vol.25, p.1928, 2007.

H. Miyazaki, Jpn. J. Appl. Phys, vol.47, p.8287, 2008.

J. W. Yi, Y. H. Lee, and B. Farouk, Thin Solid Films, vol.326, p.154, 1998.

Y. Koh, K. Loh, L. Rong, A. T. Wee, L. Huang et al., J. Appl. Phys, vol.93, p.1241, 2003.

C. T. Kirk, Phys. Rev. B, vol.38, p.1255, 1988.

M. Darnon, T. Chevolleau, T. David, N. Posseme, J. Ducote et al., J. Vac. Sci. Technol. B, vol.26, p.1964, 2008.