Fabrication and Electrical Characterization of tunnel FET Devices Based on Si/SiGe Heterojunction PIN nanowires - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives

Documentation
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Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Fabrication and Electrical Characterization of tunnel FET Devices Based on Si/SiGe Heterojunction PIN nanowires

(1, 2) , (1) , (1) , (1) , (1) , (3) , (2)

1
2
3

Virginie Brouzet

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Bassem Salem

Fonction : Auteur
PersonId : 174867
IdHAL : bassem-salem
ORCID : 0000-0001-8038-3205
IdRef : 092216625

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Priyanka Periwal

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Thierry Baron

Fonction : Auteur
PersonId : 739925
IdHAL : thierry-baron
ORCID : 0000-0001-5005-6596
IdRef : 130661813

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Franck Bassani

Fonction : Auteur
PersonId : 766293
ORCID : 0000-0001-8688-1328

Laboratoire des technologies de la microélectronique

P. Gentile

Fonction : Auteur
PersonId : 170318
IdHAL : pascal-gentile
ORCID : 0000-0002-1547-4247
IdRef : 202987515

Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures

Gérard Ghibaudo

Fonction : Auteur
PersonId : 170596
IdHAL : gerard-ghibaudo
ORCID : 0000-0001-9901-0679
IdRef : 069253099

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Energie électrique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux

Frédérique Ducroquet : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cea.hal.science/cea-02067075

Soumis le : jeudi 14 mars 2019-06:55:40

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:30:08

Dates et versions

cea-02067075 , version 1 (14-03-2019)

Identifiants

HAL Id : cea-02067075 , version 1

Citer

Virginie Brouzet, Bassem Salem, Priyanka Periwal, Thierry Baron, Franck Bassani, et al.. Fabrication and Electrical Characterization of tunnel FET Devices Based on Si/SiGe Heterojunction PIN nanowires. 2014 E-MRS Fall Meeting: Symposium B: Materials for Optics and Optoelectronics, G. Ben Assayag, M. Perego and P. Pellegrino, Sep 2014, Warsaw, Poland. ⟨cea-02067075⟩

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