Horizontal Integration and Electrical Characterisation of Si/SiGe Nanowire Tunnel FETs - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Horizontal Integration and Electrical Characterisation of Si/SiGe Nanowire Tunnel FETs

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Energie électrique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux

Frédérique Ducroquet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cea.hal.science/cea-02067074

Soumis le : jeudi 14 mars 2019-06:43:57

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:17:16

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Dates et versions

cea-02067074 , version 1 (14-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : cea-02067074 , version 1

Citer

Virginie Brouzet, Bassem Salem, Priyanka Periwal, Guillaume Rosaz, Thierry Baron, et al.. Horizontal Integration and Electrical Characterisation of Si/SiGe Nanowire Tunnel FETs. 2014 E-MRS Spring Meeting: Symposium X: Materials Research for Group IV semiconductors: Growth, Characterization & Techno, Developments, G. Kissinger, S. Pizzini, H. Yamada-Kaneta, C. Clayes, D. Yang and G. Wilson, May 2014, Lille, France. ⟨cea-02067074⟩

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