Fabrication and electrical characterisations of Si/Si1-xGex nanowires Tunnel FET device : impact of Germanium concentration - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Fabrication and electrical characterisations of Si/Si1-xGex nanowires Tunnel FET device : impact of Germanium concentration

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Energie électrique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux

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https://cea.hal.science/cea-01998244

Soumis le : mardi 29 janvier 2019-15:04:32

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cea-01998244 , version 1 (29-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : cea-01998244 , version 1

Citer

Virginie Brouzet, Bassem Salem, Priyanka Periwal, Thierry Baron, Franck Bassani, et al.. Fabrication and electrical characterisations of Si/Si1-xGex nanowires Tunnel FET device : impact of Germanium concentration. 2015 MRS Spring Meeting & Exhibit: Symposium S: Semiconductor Nanowires and Devices for Advanced Applications, J. Arbiol, K. Dick Thelander, M. Filler, A. Fontcuberta, Q. Xiong, Apr 2015, San Francisco, United States. ⟨cea-01998244⟩

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