Confinement induced enhancement of the emission in Er-implanted Si/SiO2 quantum wells fabricated on SOI substrates

D. Sotta (1) , V. Calvo (2) , H. Ulmer-Tuffigo , N. Magnea (2) , Emmanuel Hadji (2) , F. Fournel (3) , J.L. Rouviere (4) , D. Jalabert (5) , H. Moriceau (3) , B. Aspar

1 SOITEC SA
2 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
5 Centre de Microscopie Electronique

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Optique [physics.optics]; Electromagnétisme; Matériaux; Optique / photonique; Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Electronique

D. Sotta, V. Calvo, H. Ulmer-Tuffigo, N. Magnea, Emmanuel Hadji, et al.. Confinement induced enhancement of the emission in Er-implanted Si/SiO2 quantum wells fabricated on SOI substrates. Materials Science and Engineering: B, 2001, 81 (1-3), pp.43-45. ⟨cea-01996944⟩