Growth mechanism of Si nanowhiskers and SiGe heterostructures in Si nanowhiskers: X-ray scattering and electron microscopy investigations - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2006

Growth mechanism of Si nanowhiskers and SiGe heterostructures in Si nanowhiskers: X-ray scattering and electron microscopy investigations

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Energie électrique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux

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https://cea.hal.science/cea-01989853

Soumis le : mardi 22 janvier 2019-15:51:16

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cea-01989853 , version 1 (22-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : cea-01989853 , version 1

Citer

Romain Dujardin, V. Poydenot, T. Devillers, V. Favre-Nicolin, P. Gentile, et al.. Growth mechanism of Si nanowhiskers and SiGe heterostructures in Si nanowhiskers: X-ray scattering and electron microscopy investigations. Applied Physics Letters, 2006, 89 (15), pp.153129. ⟨cea-01989853⟩

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