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Journal articles
Growth mechanism of Si nanowhiskers and SiGe heterostructures in Si nanowhiskers: X-ray scattering and electron microscopy investigations
Romain Dujardin
1
V. Poydenot
1
T. Devillers
V. Favre-Nicolin
2
P. Gentile
1
A. Barski
1
1
SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS : DRF/IRIG/PHELIQS
P. Gentile 1
Author IdHAL : pascal-gentile ORCID : https://orcid.org/0000-0002-1547-4247
A. Barski 1
Author
1
SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (CEA
17 rue des Martyrs
F-38054 Grenoble Cedex 9 - France)
- PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS : DRF/IRIG/PHELIQS (CEA
17 rue des Martyrs
F-38054 Grenoble Cedex 9 - France)
- UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019] (38058 Grenoble cedex - France)
- IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble : DRF/IRIG/DEPHY (France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
2
SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures (SP2M - UMR 9002, Institut Nanosciences et Cryogénie, CEA/Grenoble, 17, Avenue des Martyrs 38042 Grenoble Cedex 9 - France)
- INAC - Institut Nanosciences et Cryogénie (CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble cedex 9 - France)
- UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019] : INAC (38058 Grenoble cedex - France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRF/INAC (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-01989853
Contributor : Pascal Gentile Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, January 22, 2019 - 3:51:16 PM
Last modification on : Tuesday, May 11, 2021 - 11:36:12 AM
Contributor : Pascal Gentile Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, January 22, 2019 - 3:51:16 PM
Last modification on : Tuesday, May 11, 2021 - 11:36:12 AM
Identifiers
- HAL Id : cea-01989853, version 1
Citation
Romain Dujardin, V. Poydenot, T. Devillers, V. Favre-Nicolin, P. Gentile, et al.. Growth mechanism of Si nanowhiskers and SiGe heterostructures in Si nanowhiskers: X-ray scattering and electron microscopy investigations. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2006, 89 (15), pp.153129. ⟨cea-01989853⟩
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