R. Hull and J. C. Bean, Germanium Silicon: physics and materials, vol.56, 1999.

F. Sch, Semicond. Sci. Technol, vol.12, p.1515, 1997.

T. E. Whall and E. H. Parker, Thin Solid Films, vol.368, p.297, 2000.

L. Colace, G. Masini, and G. Assanto, IEEE J. Quantum Electron, vol.35, p.1843, 1999.

J. M. Hartmann, V. Loup, G. Rolland, P. Holliger, F. Laugier et al., J. Crystal Growth, vol.236, p.10, 2002.

J. M. Hartmann, F. Champay, V. Loup, G. Rolland, and M. N. , J. Crystal Growth, vol.241, p.93, 2002.

J. L. Regolini, D. Bensahel, and J. Mercier, Mater. Sci. Eng. B, vol.4, p.407, 1989.

M. R. Goulding, Mater. Sci. Eng. B, vol.17, p.47, 1993.

J. T. Fitch, J. Electrochem. Soc, vol.141, p.1046, 1994.

L. Vescan, Mater. Sci. Eng. B, vol.28, p.1, 1994.

I. J. Raajmakers, H. Sprey, A. Storm, T. Bergman, J. Italiano et al., J. Vac. Sci. Technol. B, vol.17, p.2311, 1999.

K. Miyano, I. Mizushima, K. Ohuchi, A. Hokazano, and Y. Tsunashima, Jpn. J. Appl. Phys, vol.38, p.2419, 1999.

L. Huang, J. O. Chu, D. F. Canaperi, C. P. D'emic, R. M. Anderson et al., Appl. Phys. Lett, vol.78, p.1267, 2002.

L. Huang, J. O. Chu, S. A. Goma, C. P. D'emic, S. J. Koester et al., IEEE Trans. Electron. Dev, vol.49, p.1566, 2002.

T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett, vol.80, p.601, 2002.

T. Tezuka, N. Sugiyama, S. Takagi, and T. Kawakubo, Appl. Phys. Lett, vol.80, p.3560, 2002.

N. Sugii, S. Yamaguchi, and K. Washio, J. Vac. Sci. Technol. B, vol.20, p.1891, 2002.

J. Pejnfors, S. Zhang, J. V. Grahn, and M. ,

T. Ostling and . Winzell, The Electrochemical Society Proceedings Series, p.403, 1999.

P. Holliger, F. Laugier, and J. C. Dupuy, Surf. Interface Anal, vol.34, p.472, 2002.

J. M. Hartmann, A. Abbadie, F. Bertin, G. Rolland, F. Laugier et al.,

P. Besson, C. Cowache, J. M. Fabri, F. Tardif, and A. Beverina, Diffusion Defect Data Part B, pp.76-77, 0199.

P. Besson, C. Cowache, J. M. Fabri, F. Tardif, and A. Beverina, Proceedings of the Fifth International Symposium on Ultra-Clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS'00), p.199, 2000.

B. S. Meyerson, F. J. Himpsel, and K. J. Uram, Appl. Phys. Lett, vol.57, p.1034, 1990.

T. Y. Hsieh, K. H. Jing, D. L. Kwon, T. H. Koshmieder, and J. C. Thomspon, J. Electrochem. Soc, vol.139, 1971.

K. Oda and Y. Kiyota, J. Electrochem. Soc, vol.143, p.2361, 1996.

C. L. Wang, S. Unnikrishnan, B. Y. Kim, D. L. Kwong, and A. F. Tasch, Appl. Phys. Lett, vol.68, p.108, 1996.

C. L. Wang, S. Unnikrishnan, B. Y. Kim, D. L. Kwong, and A. F. Tasch, J. Electrochem. Soc, vol.143, p.2387, 1996.

M. Caymax, S. Decoutere, E. R. Ohr, W. Vandervorst, and M. ,

H. Heyns, A. Sprey, J. Storm, and . Maes, Solid State Phenom, p.237, 1999.

M. S. Carroll, J. C. Sturm, and M. Yang, J. Electrochem. Soc, vol.147, p.4652, 2000.

O. Vatel, S. Verhaverbeke, H. Bender, M. Caymax, F. Chollet et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.2, issue.32, p.1489, 1993.

H. Bender, S. Verhaverbeke, M. Caymax, O. Vatel, and M. M. Heyns, J. Appl. Phys, vol.75, p.1207, 1994.

M. C. Hersam, N. P. Guisinger, J. W. Lyding, D. S. Thompson, and J. S. Moore, Appl. Phys. Lett, vol.78, p.886, 2001.

P. Brabant, J. Wen, J. Italiano, T. Landin, N. Cody et al., Poster Presentation during the ISTDM 2003 Conference, pp.15-17, 2003.

Y. W. Mo and M. G. Lagally, Surf. Sci, vol.248, p.313, 1991.

B. Voigtl, T. Ander, P. Weber, D. E. Smilauer, and . Wolf, Phys. Rev. Lett, vol.78, p.2164, 1997.

B. Voigtl, Surf. Sci. Rep, vol.43, p.127, 2001.

P. Kongetira, G. Neudeck, and C. G. Takoudis, J. Vac. Sci. Technol. B, vol.15, p.1902, 1997.

K. Sinniah, M. G. Sherman, L. B. Lewis, W. H. Weinberg, J. T. Yates et al., Phys. Rev. Lett, vol.62, p.567, 1989.

W. A. Claassen, J. Bloem, and J. , Crystal Growth, vol.51, p.443, 1981.

W. G. Oldham and R. Holmstrom, J. Electrochem. Soc, vol.114, p.4, 1967.

J. S. Watts and G. W. Neudeck, J. Vac. Sci. Technol. B, vol.14, p.1670, 1996.

J. Pejnefors, S. Zhang, H. H. Radamsson, and M. Ostling, Electrochem. Solid State Lett, vol.4, p.98, 2001.