Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2009
Jean-Baptiste JAGER : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://cea.hal.science/cea-01989752
Soumis le : mardi 22 janvier 2019-15:21:42
Dernière modification le : lundi 12 février 2024-15:22:57
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : cea-01989752 , version 1
Citer
P. Noe, H. Okuno, J.-B. Jager, E Delamadeleine, O. Demichel, et al.. The evolution of the fraction of Er ions sensitized by Si nanostructures in silicon-rich silicon oxide thin films. Nanotechnology, 2009, 20 (35), pp.355704. ⟨cea-01989752⟩
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