R. Geiger, T. Zabel, and H. Sigg, Front. Mater, vol.2, p.52, 2015.

L. Tsybeskov and D. J. Lockwood, Proc. IEEE 97, vol.7, p.1284, 2009.

H. Rong, A. Liu, R. Jones, O. Cohen, D. Hak et al., Nature, vol.433, p.292, 2005.

X. Checoury, M. E. Kurdi, Z. Han, and P. Boucaud, Opt. Express, vol.17, p.3500, 2009.

L. Pavesi, L. Negro, C. Mazzoleni, G. Franzò, and F. Priolo, Nature, vol.408, p.440, 2000.

L. Negro, R. Li, J. Warga, and S. N. Basu, Front. Optoelectron, vol.92, p.13, 2008.

M. E. Kurdi, G. Fishman, S. Sauvage, and P. Boucaud, J. Appl. Phys, vol.107, p.13710, 2010.

M. J. Süess, R. Geiger, R. A. Minamisawa, G. Schiefler, J. Frigerio et al., Nat. Photonics, vol.7, p.466, 2013.

J. Liu, X. Sun, R. Camacho-aguilera, L. C. Kimerling, J. Michel et al., Opt. Lett, vol.35, issue.11, 2010.

A. Hartmann, S. Benedetti, D. Chiussi, S. Grützmacher, D. Mantl et al., Appl. Phys. Lett, vol.103, p.192110, 2013.

T. Cheng, C. Ko, C. Chen, K. Peng, G. Luo et al., Appl. Phys. Lett, vol.96, p.91105, 2010.

W. Hu, B. Cheng, C. Xue, H. Xue, S. Su et al., Appl. Phys. Lett, vol.95, p.92102, 2009.

X. Sun, J. Liu, L. C. Kimerling, J. Michel, ;. Cheng et al., Opt. Express, vol.34, issue.15, p.10019, 2009.

M. De-kersauson, R. Jakomin, M. E. Kurdi, G. Beaudoin, N. Zerounian et al., J. Appl. Phys, vol.108, p.23105, 2010.

R. E. Camacho-aguilera, Y. Cai, N. Patel, J. T. Bessette, M. Romagnoli et al., Opt. Express, vol.20, p.11316, 2012.

K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, and K. Ogawa, Appl. Phys. Lett, vol.60, pp.745-747, 1992.

M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, and C. M. Lieber, Nano Lett, vol.415, p.1059, 2002.

E. D. Minot, F. Kelkensberg, M. Van-kouwen, J. A. Van-dam, L. P. Kouwenhoven et al., Nano Lett, vol.7, issue.2, p.367, 2007.

R. S. Wagner, W. C. Ellis, ;. Friedler, C. Sauvan, J. P. Hugonin et al., Appl. Phys. Lett, vol.4, issue.23, p.2095, 1964.

K. Guilloy, N. Pauc, A. Gassenq, P. Gentile, S. Tardif et al., Nano Lett, vol.15, p.2429, 2015.

S. T. Le, P. Jannaty, A. Zaslavsky, S. A. Dayeh, and S. T. Picraux, Appl. Phys. Lett, vol.96, p.262102, 2010.

J. Greil, S. Birner, E. Bertagnolli, and A. Lugstein, Handbook Series on Semiconductor Parameters, vol.104, issue.28, p.163901, 2009.

M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur, , 1996.

N. C. Chen, W. C. Lien, Y. K. Yang, C. Shen, Y. S. Wang et al., J. Appl. Phys, vol.106, p.74514, 2009.

R. Agarwal and C. M. Lieber, Appl. Phys. A, vol.85, p.209, 2006.

A. Mishra, L. V. Titova, T. B. Hoang, H. E. Jackson, L. M. Smith et al., Appl. Phys. Lett, vol.91, p.263104, 2007.

J. Wang, M. S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui, and C. M. Lieber, Nat. Mater, vol.293, p.643, 2001.

A. Lugstein, M. Miji?, T. Burchhart, C. Zeiner, R. Langegger et al., Nanotechnology, vol.24, issue.35, p.73306, 2009.

S. Chhajed, Y. Xi, Y. Li, T. Gessmann, E. F. Schubert et al., Appl. Phys. Lett, vol.97, issue.37, p.31907, 1981.

D. Tedeschi, M. De-luca, H. A. Fonseka, Q. Gao, F. Mura et al., Nano Lett, vol.16, p.3085, 2016.

M. Kaschel, M. Schmid, M. Gollhofer, J. Werner, M. Oehme et al., Solid. State. Electron, vol.83, p.87, 2013.

E. Kasper, M. Oehme, J. Werner, T. Aguirov, and M. Kittler, Front. Optoelectron, vol.5, p.256