J. Colinge, FinFETs and Other Multi-Gate Transistors, 2008.

M. C. Mcalpine, R. S. Friedman, S. Jin, K. Lin, W. U. Wang et al., Nano Lett, vol.3, p.1531, 2003.

J. Goldberger, A. I. Hochbaum, R. Fan, and P. Yang, Nano Lett, vol.6, p.973, 2006.

X. Liu, Y. Long, L. Liao, X. Duan, and Z. Fan, ACS Nano, vol.6, p.1888, 2012.

O. Gunawan, L. Sekaric, A. Majumdar, M. Rooks, J. Appenzeller et al., Nano Lett, vol.8, p.1566, 2008.

J. Chen, T. Saraya, K. Miyaji, K. Shimizu, and T. Hiramoto, Jpn. J. Appl. Phys, vol.48, p.11205, 2009.

J. Chen, T. Saraya, and T. Hiramoto, IEEE Electron Device Lett, vol.30, p.1203, 2009.

L. Sekaric, O. Gunawan, A. Majumdar, X. H. Liu, D. Weinstein et al., Appl. Phys. Lett, vol.95, p.23113, 2009.

P. Hashemi, J. T. Teherani, and J. L. Hoyt, IEDM Tech. Dig, 2010.

K. Mao, T. Saraya, and T. Hiramoto, Jpn. J. Appl. Phys, vol.52, pp.4-11, 2013.

M. Luisier and G. Klimeck, Phys. Rev. B, vol.80, p.155430, 2009.

S. Kim, M. Luisier, A. Paul, T. B. Boykin, and G. Klimeck, IEEE Trans. Electron Device, vol.58, p.1371, 2011.

H. E. Jung and M. Shin, IEEE Trans. Electron Device, vol.60, p.1861, 2013.

N. Neophytou and H. Kosina, Nano Lett, vol.10, p.4913, 2010.

M. Aldegunde, A. Martinez, and J. R. Barker, J. Appl. Phys, vol.113, p.14501, 2013.

Y. Niquet, C. Delerue, and C. Krzeminski, Nano Lett, vol.12, p.3545, 2012.

I. Tienda-luna, J. Roldn, F. Ruiz, C. Blanque, and F. Gamiz, Solid-State Electron, vol.90, p.18, 2013.

R. Rhyner and M. Luisier, Phys. Rev. B, vol.89, p.235311, 2014.

R. Granzner, V. M. Polyakov, C. Schippel, and F. Schwierz, IEEE Trans. Electron Device, vol.61, p.3601, 2014.

H. Ryu, Nanoscale Res. Lett, vol.11, p.1, 2016.

E. B. Ramayya, D. Vasileska, S. M. Goodnick, and I. Knezevic, IEEE Trans. Nanotechnol, vol.6, p.113, 2007.

M. D. Michielis, D. Esseni, P. Palestri, and L. Selmi, IEEE Trans. Electron Device, vol.56, p.2081, 2009.

A. K. Buin, A. Verma, and M. P. Anantram, J. Appl. Phys, vol.104, 2008.

J. W. Ma, W. J. Lee, J. M. Bae, K. S. Jeong, S. H. Oh et al., Nano Lett, vol.15, p.7204, 2015.

C. Jacoboni and L. Reggiani, Rev. Mod. Phys, vol.55, p.645, 1983.

Y. Niquet, V. Nguyen, F. Triozon, I. Duchemin, O. Nier et al., J. Appl. Phys, vol.115, p.54512, 2014.

L. Bourdet, J. Li, J. Pelloux-prayer, F. Triozon, M. Casse et al., J. Appl. Phys, vol.119, p.84503, 2016.

Y. M. Niquet, C. Delerue, and D. Rideau, 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, pp.49-52, 2012.

P. Packan, S. Cea, H. Deshpande, T. Ghani, M. Giles et al., IEDM Tech. Dig, pp.1-4, 2008.

S. M. Goodnick, D. K. Ferry, C. W. Wilmsen, Z. Liliental, D. Fathy et al., Phys. Rev. B, vol.32, p.8171, 1985.

F. Gamiz, J. B. Roldan, J. E. Carceller, and P. Cartujo, Appl. Phys. Lett, vol.82, p.3251, 2003.

P. Toniutti, P. Palestri, D. Esseni, F. Driussi, M. D. Michielis et al., J. Appl. Phys, vol.112, p.34502, 2012.

V. H. Nguyen, Y. M. Niquet, F. Triozon, I. Duchemin, O. Nier et al., IEEE Trans. Electron Device, vol.61, p.3096, 2014.

A. Pirovano, A. L. Lacaita, G. Ghidini, and G. Tallarida, IEEE Electron Device Lett, vol.21, p.34, 2000.

S. Barraud, M. Casse, L. Gaben, Y. Pelloux-prayer, Z. Zeng et al.,