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Journal articles
Accurate strain measurements in highly strained Ge microbridges
Alban Gassenq
1
Samuel Tardif
2
Kevin Guilloy
1
G. Osvaldo Dias
3
Nicolas Pauc
1
Ivan Duchemin
4
Denis Rouchon
3
Jean-Michel Hartmann
3
Julie Widiez
3
Jose Escalante
4
Yann Michel Niquet
4
R. Geiger
5
Thomas Zabel
5
Hans Sigg
5
Jerome Faist
6
Alexei Chelnokov
7
Francois Rieutord
2
Vincent Reboud
3
Vincent Calvo
1
1
SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS : DRF/IRIG/PHELIQS
2
NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux : DRF/IRIG/MEM
4
LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux : DRF/IRIG/MEM
Alban Gassenq 1
Author
Samuel Tardif 2
Author IdHAL : samuel-tardif
Kevin Guilloy 1
Author
G. Osvaldo Dias 3
Author
Nicolas Pauc 1
Author
Ivan Duchemin 4
Author
Denis Rouchon 3
Author
Jean-Michel Hartmann 3
Author IdHAL : jean-michel-hartmann ORCID : https://orcid.org/0000-0002-9493-1281
Francois Rieutord 2
Author IdHAL : francois-rieutord ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4697-3652
Vincent Reboud 3
Author
Vincent Calvo 1
Author
1
SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (CEA
17 rue des Martyrs
F-38054 Grenoble Cedex 9 - France)
- PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS : DRF/IRIG/PHELIQS (CEA
17 rue des Martyrs
F-38054 Grenoble Cedex 9 - France)
- IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble : DRF/IRIG/DEPHY (France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
- UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019] (CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- UGA - Université Grenoble Alpes (Adresse CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble : DRF/IRIG/DEPHY (France)
2
NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron (CEA
17 rue des Martyrs
F-38054 Grenoble Cedex 9 - France)
- MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux : DRF/IRIG/MEM (CEA
17 rue des Martyrs
F-38054 Grenoble Cedex 9 - France)
- IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble : DRF/IRIG/DEPHY (France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
- UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019] (CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble : DRF/IRIG/DEPHY (France)
3
CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (MINATEC 17, rue des Martyrs, 38054, Grenoble Cedex 9 - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
4
LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation (CEA
17, rue des Martyrs
F-38054 Grenoble Cedex 9 - France)
- MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux : DRF/IRIG/MEM (CEA
17 rue des Martyrs
F-38054 Grenoble Cedex 9 - France)
- IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble : DRF/IRIG/DEPHY (France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- DRF (CEA) - Direction de Recherche Fondamentale (CEA) : DRF/IRIG (Direction de Recherche Fondamentale
Fundamental Research Division
CEA Saclay
91191 Gif-sur-Yvette
- France)
- UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019] (CS 40700 - 38058 Grenoble cedex - France)
- IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble : DRF/IRIG/DEPHY (France)
5
PSI - Paul Scherrer Institute (Villigen PSI, CH5232 Villigen, Suisse - Switzerland)
6
Institute of Quantum Electronics (Switzerland)
- ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology in Zürich [Zürich] (Hauptgebäude, Rämistrasse 101, 8092 Zürich - Switzerland)
7
DOPT - Département d'Optronique (France)
- CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information : DRT/LETI (MINATEC 17, rue des Martyrs, 38054, Grenoble Cedex 9 - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
- CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives : DRT (Centre de Saclay Centre de Grenoble Centre de Cadarache etc - France)
- DRT (CEA) - Direction de Recherche Technologique (CEA) : DRT (France)
Abstract : Ge under high strain is predicted to become a direct bandgap semiconductor. Very large deformations can be introduced using microbridge devices. However, at the microscale, strain values are commonly deduced from Raman spectroscopy using empirical linear models only established up to epsilon(100) = 1.2% for uniaxial stress. In this work, we calibrate the Raman-strain relation at higher strain using synchrotron based microdiffraction. The Ge microbridges show unprecedented high tensile strain up to 4.9% corresponding to an unexpected Delta omega = 9.9 cm(-1) Raman shift. We demonstrate experimentally and theoretically that the Raman strain relation is not linear and we provide a more accurate expression. Published by AIP Publishing.
Document type :
Journal articles
Domain :
Complete list of metadatas
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-01849848
Contributor : Jérôme Planès <>
Submitted on : Thursday, July 26, 2018 - 3:16:03 PM
Last modification on : Tuesday, November 24, 2020 - 4:00:08 PM
Contributor : Jérôme Planès <>
Submitted on : Thursday, July 26, 2018 - 3:16:03 PM
Last modification on : Tuesday, November 24, 2020 - 4:00:08 PM
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Identifiers
- HAL Id : cea-01849848, version 1
- DOI : 10.1063/1.4953788
Citation
Alban Gassenq, Samuel Tardif, Kevin Guilloy, G. Osvaldo Dias, Nicolas Pauc, et al.. Accurate strain measurements in highly strained Ge microbridges. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2016, 108 (24), pp.241902. ⟨10.1063/1.4953788⟩. ⟨cea-01849848⟩
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