Operando x-ray photoelectron emission microscopy for studying forward and reverse biased silicon p-n junctions

N. Barrett (1) , D. M. Gottlob (2) , C. Mathieu (1) , C. Lubin (1) , J. Passicousset (1) , O. Renault (3) , E. Martinez (4)

1 LENSIS - Laboratoire d'Etude des NanoStructures et Imagerie de Surface
2 Peter Grünberg Institute
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 CRO2 - Centre de Recherches en Oncologie biologique et Oncopharmacologie

Domains: Physics [physics]

N. Barrett, D. M. Gottlob, C. Mathieu, C. Lubin, J. Passicousset, et al.. Operando x-ray photoelectron emission microscopy for studying forward and reverse biased silicon p-n junctions. Review of Scientific Instruments, 2016, 87 (5), ⟨10.1063/1.4948597⟩. ⟨cea-01481549⟩