Operando x-ray photoelectron emission microscopy for studying forward and reverse biased silicon p-n junctions

N. Barrett 1 D. M. Gottlob 2 C. Mathieu 1 C. Lubin 1 J. Passicousset 1 O. Renault 3 E. Martinez 4
1 LENSIS - Laboratoire d'Etude des NanoStructures et Imagerie de Surface
SPEC - UMR3680 - Service de physique de l'état condensé, IRAMIS - Institut Rayonnement Matière de Saclay
2 Peter Grünberg Institute
3 CEA-LETI - Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information
4 CRO2 - Centre de Recherches en Oncologie biologique et Oncopharmacologie
Type de document :
Article dans une revue
Review of Scientific Instruments, American Institute of Physics, 2016, 87 (5), 〈10.1063/1.4948597〉
Liste complète des métadonnées
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-01481549
Contributeur : Dominique Girard <>
Soumis le : jeudi 2 mars 2017 - 16:58:06
Dernière modification le : lundi 24 septembre 2018 - 10:56:04

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Citation

N. Barrett, D. M. Gottlob, C. Mathieu, C. Lubin, J. Passicousset, et al.. Operando x-ray photoelectron emission microscopy for studying forward and reverse biased silicon p-n junctions. Review of Scientific Instruments, American Institute of Physics, 2016, 87 (5), 〈10.1063/1.4948597〉. 〈cea-01481549〉

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