Operando x-ray photoelectron emission microscopy for studying forward and reverse biased silicon p-n junctions

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Review of Scientific Instruments, American Institute of Physics, 2016, 87 (5), 〈10.1063/1.4948597〉
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Contributeur : Dominique Girard <>
Soumis le : jeudi 2 mars 2017 - 16:58:06
Dernière modification le : jeudi 15 mars 2018 - 15:06:53

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Citation

N. Barrett, D. M. Gottlob, C. Mathieu, C. Lubin, J. Passicousset, et al.. Operando x-ray photoelectron emission microscopy for studying forward and reverse biased silicon p-n junctions. Review of Scientific Instruments, American Institute of Physics, 2016, 87 (5), 〈10.1063/1.4948597〉. 〈cea-01481549〉

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